如今的MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)非常的要求：

1. 低壓運(yùn)用
當(dāng)應(yīng)用5V開關(guān)電源，此刻假如采用傳統(tǒng)式的圖騰柱構(gòu)造，因?yàn)槿龢O管的be僅有0.7V上下的損耗，造成 具體最后載入gate上的電壓僅有4.3V，此刻，大家采用允差gate電壓4.5V的MOS管就存有一定的風(fēng)險(xiǎn)性。一樣的情況也出現(xiàn)在應(yīng)用3V或是別的低壓開關(guān)電源的場(chǎng)所。

2. 寬電壓運(yùn)用
鍵入電壓并沒(méi)有一個(gè)數(shù)值，它會(huì)由于時(shí)間或是其它要素而變化。這一變化造成 PWM電路給予給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。
為了更好地讓MOS管在高gate電壓下安全性，許多MOS管內(nèi)嵌了穩(wěn)壓管強(qiáng)制限定gate電壓的幅度值。在這樣的情形下，當(dāng)帶來(lái)的驅(qū)動(dòng)電壓超出穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)造成很大的靜止功能損耗。
與此同時(shí)，假如簡(jiǎn)易的用電阻分壓的基本原理減少gate電壓，就會(huì)發(fā)生鍵入電壓較為高的情況下，MOS管工作中優(yōu)良，而鍵入電壓減少的情況下gate電壓不夠，造成通斷不足完全，進(jìn)而提升功能損耗。

3. 雙電壓運(yùn)用
在一些控制回路中，邏輯性一部分應(yīng)用典型性的5V或3.3V數(shù)據(jù)電壓，而輸出功率一部分應(yīng)用12V乃至更多的電壓。2個(gè)電壓選用共地方法聯(lián)接。
這就明確提出一個(gè)規(guī)定，必須運(yùn)用一個(gè)電源電路，讓低壓側(cè)可以合理的操縱髙壓側(cè)的MOS管，與此同時(shí)髙壓側(cè)的MOS管也一樣會(huì)應(yīng)對(duì)1和2提及的難題。
在這里三種情形下，圖騰柱構(gòu)造不能滿足輸出要求，而許多現(xiàn)有的MOS驅(qū)動(dòng)IC，好像都沒(méi)有包括gate電壓限定的構(gòu)造。

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