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微碩WINSOK高性能MOS管WSD3044DN33,在無線充電器的應用

發(fā)布日期:2025-03-22 點擊次數(shù):155

在無線充電技術快速發(fā)展的當下,無線充電器的性能和效率成為了眾多廠商關注的焦點。H橋電路作為無線充電器中的關鍵部分,其性能直接影響到無線充電的效率、發(fā)熱和穩(wěn)定性。而微碩WINSOK WSD3044DN33N溝道高性能MOS憑借其卓越的性能,成為了無線充電器H橋電路的理想選擇。


無線充電器


一、WSD3044DN33的性能優(yōu)勢

WSD3044DN33采用了先進的高單元密度溝槽技術,這種技術使得器件在單位面積內(nèi)能夠容納更多的晶體管單元,從而極大地提高了器件的性能。其具有極低的導通電阻,在30V的漏源電壓下,導通電阻僅為13mΩ,這使得在大電流通過時,MOS的功耗大幅降低,從而提高了無線充電器的效率。同時,其超低的柵極電荷,使得在高頻開關應用中,開關損耗得到有效控制,進一步提升了無線充電器的性能。

 

此外,WSD3044DN33還具有100% EAS(雪崩能量)保證,這意味著在面對突發(fā)的電壓尖峰時,器件能夠承受更大的能量沖擊而不損壞,從而提高了無線充電器的可靠性和穩(wěn)定性。其工作結溫范圍為-55℃至150℃,能夠適應各種惡劣的工作環(huán)境,確保無線充電器在不同場景下的穩(wěn)定運行。


無線充電器


二、
WSD3044DN33在無線充電器H橋中的應用

 

無線充電器中,H橋需在數(shù)百kHz至數(shù)MHz的頻率下工作,要求MOS具備:

1‌低導通損耗‌:減少能量浪費,提升系統(tǒng)效率

2、‌快速開關特性‌:降低開關損耗,避免器件過熱

3、‌高可靠性‌:耐受頻繁的電流沖擊與熱應力

 

WSD3044DN3313mΩ超低導通電阻和優(yōu)的封裝設計,使其完美匹配上述需求。在無線充電器的H橋電路中,WSD3044DN33的主要作用是控制電流的方向和大小,以實現(xiàn)對無線充電線圈的激勵。H橋電路由四個MOS組成,通過控制這四個MOS的導通和關斷,可以實現(xiàn)電流在無線充電線圈中的正向和反向流動,從而產(chǎn)生交變磁場,實現(xiàn)無線充電。

 

此外,WSD3044DN33的低導通電阻特性在H橋電路中尤為重要。由于無線充電器需要在較高的電流下工作,低導通電阻能夠顯著降低器件的功耗,提高無線充電器的效率。同時,其超低的柵極電荷使得在高頻開關時,開關損耗得到有效控制,從而提高了無線充電器的性能。

 

在實際應用中,WSD3044DN33的封裝形式也非常適合無線充電器的設計。其DFN3X3-8L封裝具有較小的尺寸和良好的散熱性能,能夠方便地集成到無線充電器的電路板中,同時保證了無線充電器的散熱性能,確保無線充電器在長時間工作時的穩(wěn)定性。



高性能MOS管WSD3044DN33

三、設計建議與未來趨勢

1‌多器件并聯(lián)‌:若需支持更高功率(如30W以上),可將多顆WSD3044DN33并聯(lián)使用,進一步降低導通電阻。

2‌集成化方案‌:結合半橋驅(qū)動芯片實現(xiàn)緊湊型設計。

3、‌寬頻化發(fā)展‌:隨著GaN技術的普及,未來可探索WSD3044DN33GaN器件混合拓撲,支持6.78MHz等高頻率應用。

高性能MOS管WSD3044DN33




四、結論

 

WSD3044DN33N溝道MOS憑借其超低導通電阻、快速開關能力和優(yōu)異的散熱性能,成為無線充電器H橋設計的理想選擇。通過合理的驅(qū)動設計、布局優(yōu)化及熱管理,可顯著提升系統(tǒng)效率與可靠性,推動無線充電技術向更高功率、更小體積的方向發(fā)展。